**VBsemi DMG3415UQ-7-VB**

- **封装类型:** SOT23-3
- **沟道类型:** P-Channel
- **最大耐压:** -30V
- **最大漏电流:** -5.6A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压 (Vth):** -1V

**详细参数说明:**
DMG3415UQ-7-VB是VBsemi品牌的P-Channel沟道功率MOSFET，具有SOT23-3封装。其特性包括最大-30V的耐压能力，最大-5.6A的漏电流，以及在10V和20V时的47mΩ导通电阻。阈值电压为-1V，适用于需要高性能P-Channel MOSFET的电路设计。

**应用简介:**
该器件适用于多种电源管理和功率放大应用。由于其P-Channel沟道特性，可以在需要P-Channel MOSFET的电路中提供高效能的性能。

**应用领域:**
1. **电源开关:** 用于开关电源和稳压器。
2. **电机驱动:** 在电机控制中用于负载开关。
3. **LED照明:** 适用于LED驱动电路。
4. **移动设备:** 在充电管理电路和电源开关中使用。
5. **电动工具:** 驱动电动工具中的电机。

**注意:** 在设计中，请根据具体的电路要求和工作条件仔细选择和使用该器件。