DMG3415U-13-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23-3封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：

- **参数：**
- 封装类型：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大耐压：-30V
- 最大漏极电流：-5.6A
- 开启电阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：-1V

- **应用简介：**
DMG3415U-13-VB是一款P—Channel MOSFET，设计用于低电压和中电流应用。其卓越的性能特征使得它在多种应用中表现卓越。

- **领域应用：**
该器件适用于以下领域：
- 电源管理模块
- 电池保护电路
- DC-DC转换器
- 电流限制和开关应用

- **模块应用：**
在模块级别，DMG3415U-13-VB可被广泛应用于：
- 移动设备充电管理模块
- 电池供电的便携式设备
- 低电压、高效率的电源管理系统
- 小型电源开关模块

这款P—Channel MOSFET的优异性能使其成为在各种低功耗和高效率电源管理应用中的理想选择，为电子设计提供了灵活性和可靠性。