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CJ2321-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
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CJ2321-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23-3封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介:

- **参数:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- 开启电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:-1V

- **应用简介:**
CJ2321-VB是一款P—Channel MOSFET,适用于低电压、中电流的场景。其卓越的性能特征使得它在多种应用中表现出色。

- **领域应用:**
该器件广泛应用于以下领域:
- 电源管理模块
- 电池保护电路
- DC-DC转换器
- 电流限制和开关应用

- **模块应用:**
在模块级别,CJ2321-VB可以被用于:
- 移动设备充电管理模块
- 电池供电的便携式设备
- 低电压、高效率的电源管理系统
- 小型电源开关模块

这款P—Channel MOSFET适用于各种低功耗和高效率电源管理应用,为设计人员提供了灵活性和可靠性。

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