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QM3001K-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
QM3001K-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:

封装:SOT23-3
沟道类型:P—Channel
额定电压:-30V
最大电流:-5.6A
导通电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
阈值电压(Vth):-1V
封装: SOT23-3

详细参数说明:
QM3001K-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装。其主要电气特性包括额定电压为-30V,最大电流为-5.6A,导通电阻为47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,阈值电压为-1V。

应用简介:
QM3001K-VB适用于多种电源管理和开关电路应用。其P—Channel设计使其在特定场合下能够提供高效的电源控制。由于其性能特点,该器件常见于以下领域和模块:

电源开关模块: QM3001K-VB可用于设计高效的电源开关模块,如稳压器和开关电源。

电池管理系统: 由于低阈值电压和低导通电阻,该器件适用于电池管理系统,提供有效的电源开关控制。

LED照明驱动: 在LED照明应用中,可用于设计高效的LED驱动电路。

请注意,在具体应用中,确保根据各自的规格书和设计手册进行正确的设计和使用。

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