**SSM3J14T-VB**

- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-5.6A
- 导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1V

- **封装：** SOT23-3

**详细参数说明:**
SSM3J14T-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23-3封装。其主要电气特性包括额定电压为-30V，最大电流为-5.6A，导通电阻为47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，阈值电压为-1V。

**应用简介:**
SSM3J14T-VB适用于多种电源管理和开关电路应用。其P—Channel设计使其在特定场合下能够提供高效的电源控制。由于其性能特点，该器件常见于以下领域和模块：

1. **移动设备充电管理：** 适用于手机、平板等移动设备的电源管理，可用于设计充电保护电路。

2. **电池管理系统：** 由于低阈值电压和低导通电阻，该器件适用于电池管理系统，提供有效的电源开关控制。

3. **电源开关模块：** SSM3J14T-VB可用于设计高效的电源开关模块，如稳压器和开关电源。

4. **便携式电子设备：** 适用于便携式电子设备，如数码相机、便携式音响等。

请注意，在具体应用中，确保根据SSM3J14T-VB的规格书和设计手册进行正确的设计和使用。