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LP2305LT1G-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
**LP2305LT1G-VB 详细参数说明:**

- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 开态电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth = -1V

- **封装:** SOT23-3

**应用简介:**

LP2305LT1G-VB是一款P—Channel MOSFET,适用于SOT23-3封装。其主要特性包括低开态电阻、适用于-30V额定电压,以及-5.6A的额定电流,使其在多种应用中表现出色。

**应用领域:**

1. **电源模块:** 由于其低开态电阻和适度的电压/电流额定值,可用于电源模块中的功率开关。

2. **电源管理:** 在电池管理和电源逆变器中,LP2305LT1G-VB可以实现高效的电源管理。

3. **汽车电子:** 适用于汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)等。

4. **LED驱动:** 在LED照明系统中,可用于调光和开关控制。

请注意,确保在使用前详细阅读产品手册以确保正确的应用和性能。

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