型号：SSM3J334R-VB

丝印：VB2355

品牌：VBsemi

参数：

- 封装类型：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-5.6A
- RDS(ON)：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1V

应用简介：

SSM3J334R-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其主要特性包括在低电压下工作时的低导通电阻和适用于负载开关等应用。

详细参数说明：

1. **封装类型：** SOT23-3
2. **沟道类型：** P—Channel
3. **额定电压：** -30V
4. **额定电流：** -5.6A
5. **导通电阻：** RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压：** Vth=-1V

领域和模块应用：

SSM3J334R-VB适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的各种电子设备和模块，特别是在低电压和低功耗要求的领域。以下是一些可能的应用场景：

1. **负载开关：** 由于其低导通电阻和P—Channel设计，适用于负载开关电路，可以用于控制电路中的负载。

2. **电源管理：** 在电源管理模块中，特别是需要P—Channel MOSFET的场合，如低电压断路器和电源开关。

请注意，具体的应用和模块选择可能根据具体设计需求和电路要求而变化。建议在使用前查阅产品手册和规格书以确保正确的应用和操作。