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MI3415-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
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MI3415-VB
- 丝印: VB2355
- 品牌: VBsemi
- 参数: SOT23-3;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1V
- 封装: SOT23-3

详细参数说明:
- 沟道类型: P-Channel
- 最大电压: -30V
- 最大电流: -5.6A
- 开启电阻: 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门阈电压: -1V

应用简介:
MI3415-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel场效应晶体管。具有负30V的最大电压和5.6A的最大电流。其低开启电阻和适用于不同电压门极的特性使其在各种电子应用中表现出色。

应用领域:
- 电源管理模块
- 电流控制模块
- 低压断路器
- 电池保护电路
- DC-DC转换器
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