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SI2343DS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
**详细参数说明:**
- 型号:SI2343DS-T1-GE3-VB
- 丝印:VB2355
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23-3
- 类型:P-Channel沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 导通电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:-1V

**应用简介:**
这是一款P-Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于SOT23-3封装。其特点包括-30V的额定电压,-5.6A的额定电流,相对较低的导通电阻等,使其适用于低功率的功率电子应用。

**应用领域:**
该器件常用于小功率电源开关、信号放大、电流控制等领域的模块。在这些模块中,它可以用于低功率的开关调节、小信号的放大和电流的控制。

**作用:**
- 在小功率电源开关模块中,可用于低功率的开关电源的调节和控制。
- 在小功率信号放大模块中,可用于小功率信号的放大。
- 在小功率电流控制模块中,可用于低功率电流的控制。

**使用注意事项:**
- 严格按照数据手册提供的最大额定值操作,以防止器件损坏。
- 注意器件的静电敏感性,采取适当的防护措施。
- 在设计中考虑散热和温度管理,确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循适当的焊接和安装标准,以确保可靠的电气连接和机械强度。

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