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09N03L-VB一个N沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
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**09N03L-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **丝印:** VBE1307
- **封装:** TO252
- **参数:**
- N—Channel沟道
- 额定电压:30V
- 最大电流:60A
- RDS(ON):10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.6V

**应用简介:**

09N03L-VB是一款高性能N沟道场效应晶体管,适用于多种电源和功率管理应用。其N—Channel设计使其在负载开关和功率放大器中表现出色。

**领域模块及作用:**

1. **电源模块:** 用于电源开关,提供高效、可靠的电能转换,适用于电源供应器和逆变器。

2. **电机驱动:** 适用于直流电机控制,提供可靠的电流驱动,广泛用于电动工具、家用电器等。

3. **功率放大器:** 在音频和射频系统中可用于功率放大器的构建,提供高性能的信号放大。

**使用注意事项:**

1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流,以免损坏器件。

2. **温度控制:** 在操作过程中保持适当的温度,避免过热。

3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以防止静电损害。

4. **阈值电压:** 确保正确的阈值电压,以确保器件在正常工作范围内。

以上信息仅供参考,具体应用需根据实际情况调整。

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