产品简介：
**应用简介:**
UT3401ZG-AE3-R-VB是一款P—Channel沟道功率MOSFET，具有卓越的性能和广泛的应用范围。
**主要特点:**
- **高性能:** 低导通电阻和高漏极电流，适用于高性能电路设计。
- **低阈值电压:** 阈值电压为-1V，有助于在低电压条件下实现灵活的电路设计。
- **紧凑封装:** SOT23-3封装，适用于空间有限的应用。
文件下载
产品参数：
**UT3401ZG-AE3-R-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** UT3401ZG-AE3-R-VB
- **丝印:** VB2355
- **封装:** SOT23-3
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大漏极电压:** -30V
- **最大漏极电流:** -5.6A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压 (Vth):** -1V
领域和模块应用：
**应用领域:**
1. **电源管理模块:**
- 用于构建高效、紧凑的电源管理模块，提供可靠的电力转换和调节。
2. **驱动电路:**
- 作为电路中驱动器或开关的一部分，实现快速而可靠的电路切换。
3. **电机驱动:**
- 适用于电机控制和驱动模块，提供对电机的精确控制。
4. **电池保护:**
- 在电池管理电路中，用于实现过电流和过压保护。
5. **LED驱动:**
- 用于LED驱动电路，确保稳定的亮度和效能。
请根据具体应用需求和电路设计要求，选择UT3401ZG-AE3-R-VB以实现最佳性能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
