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UT2309G-AE3-R-VB 产品详细

产品简介:


- **应用简介:**
UT2309G-AE3-R-VB是一款高性能P-Channel沟道MOSFET,设计用于电源管理和开关电源应用。其低导通电阻和高漏极电流使其在各种电源系统中表现卓越。

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产品参数:

**UT2309G-AE3-R-VB**

- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 工作电压:-30V
- 连续漏极电流:-5.6A
- 导通电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1V

领域和模块应用:

**应用领域:**
1. **电源开关:** 适用于各种电源开关电路。
2. **稳压器:** 提供高效的电源控制,确保稳定的输出电压。
3. **DC-DC转换器:** 用于实现不同电压之间的高效能转换。
4. **电源管理系统:** 为电源管理提供可靠解决方案。

- **封装:** SOT23-3

UT2309G-AE3-R-VB在电源开关、稳压器、DC-DC转换器和电源管理系统等领域中广泛应用,为各种应用场景提供高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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