- **应用简介：**
UDN302L-AE3-R-VB 是一款 P—Channel 沟道功率 MOSFET，采用 SOT23-3 封装。具有低开态电阻和适用于负载开关和功率管理应用的特性。

- **详细参数说明：**
1. **封装类型（Package Type）：** SOT23-3，这是一种小型表面贴装封装，适合密集的电路板设计。
2. **沟道类型（Channel Type）：** P—Channel，表示这是一款 P 沟道型 MOSFET。
3. **最大承受电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** -30V，这是该器件可承受的最大漏极电压。
4. **最大漏极电流（Maximum Drain Current）：** -5.6A，表示最大可通过的漏极电流。
5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，表示在给定的栅源电压下，开态电阻的最大值。
6. **阈值电压（Threshold Voltage）：** -1V，是器件开始导通的栅源电压。