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TP0202K-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

TP0202K-T1-E3-VB是VBsemi品牌的P-Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装。
- **电源管理:** 适用于低压降、高效率的电源管理电路。
- **功率放大:** 可用于放大器和功率放大模块。
- **开关电源:** 用于设计开关电源和DC-DC转换器。

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产品参数:

**参数说明:**
- 最大耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- 开态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

领域和模块应用:

**领域和模块应用:**
- **电源模块:** 由于其低漏极电阻和高耐压特性,适用于电源模块设计,提高效率。
- **驱动模块:** 用于电机驱动和其他需要高效率功率放大的应用。
- **开关电源控制:** 在开关电源中用于实现稳定的电流和电压控制。

TP0202K-T1-E3-VB适用于需要P-Channel MOSFET的各种应用领域,提供高性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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