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SSM3J331R-VB 产品详细

产品简介:

型号:SSM3J331R-VB

丝印:VB2355

品牌:VBsemi


SSM3J331R-VB是一款P-Channel MOSFET,适用于需要负责负载开关的电路。其低静态开态电阻和高额定电流使其特别适用于功率开关应用。

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产品参数:

参数:
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 静态开态电阻 (RDS(ON)):47mΩ (在VGS=10V, VGS=20V时)
- 阈值电压 (Vth):-1V

封装:SOT23-3

**详细参数说明:**
1. **沟道类型:** P-Channel沟道,适用于P-Channel MOSFET,用于负责电流流经沟道的部分。
2. **额定电压:** -30V,表示MOSFET在正常工作条件下的最大电压。
3. **最大电流:** -5.6A,表示MOSFET能够承受的最大电流。
4. **静态开态电阻 (RDS(ON)):** 47mΩ,表示MOSFET在导通状态下的电阻。
5. **阈值电压 (Vth):** -1V,表示MOSFET从关闭到开启的电压阈值。

领域和模块应用:

**应用领域:**
1. **电源管理:** 可用于电源开关模块,例如直流-直流转换器 (DC-DC Converter)。
2. **电流控制:** 适用于需要电流控制的电路,如电流源。
3. **电机驱动:** 在电机控制电路中可以用作电机的功率开关器件。

**模块应用:**
1. **电源模块:** 用于直流电源开关模块,确保有效的电源管理。
2. **驱动模块:** 可用于驱动模块,控制电流和功率传递。
3. **开关模块:** 适用于各种开关电路,如开关电源、逆变器等。

总体而言,SSM3J331R-VB是一款多功能的P-Channel MOSFET,适用于多种功率电子应用,具有较低的导通电阻和高的电流承受能力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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