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SSM3J328R-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
SSM3J328R-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有低漏极-源极电阻和适中的电流承受能力。这使其在多种电子应用领域中非常有用。

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产品参数:

型号:SSM3J328R-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续漏极电流:-5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V,56mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):-1V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

应用领域:
1. **电源模块**:由于SSM3J328R-VB具有低漏极-源极电阻,它适用于电源管理模块、电池保护电路和开关电源,有助于提高电能转换效率。

2. **信号开关**:这种MOSFET器件可用于各种信号开关应用,例如低电压信号切换和电路保护。

3. **电池管理**:在便携式设备和无线通信设备中,SSM3J328R-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护。

4. **功率管理**:在功率管理电路中,这种MOSFET可以用于电源开关和功率分配。

总之,SSM3J328R-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要中等电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、电池管理、功率管理等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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