产品简介：
**应用简介：**
SQ2303ES-T1-GE3-VB 是一款 SOT23-3 封装的 P-Channel 沟道 MOSFET。具有负电压（-30V）和中等电流容量（-5.6A），适用于低功率电子模块。
文件下载
产品参数：
**SQ2303ES-T1-GE3-VB 详细参数说明：**
- **品牌：** VBsemi
- **型号：** SQ2303ES-T1-GE3-VB
- **丝印：** VB2355
- **封装：** SOT23-3
- **类型：** P-Channel 沟道 MOSFET
- **电压等级：** -30V
- **电流等级：** -5.6A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值（Vth）：** -1V
领域和模块应用：
**应用领域：**
1. **电源模块：** 用于低功率电源开关，例如便携式电子设备。
2. **电池管理：** 在电池保护电路中，实现对电池的开关控制。
3. **小功率开关电路：** 适用于小功率开关电路，如开关电源和逆变器。
**作用：**
- 提供低功率电源开关。
- 在电池管理电路中实现对电池的开关控制。
- 用于小功率开关电路，支持开关电源和逆变器。
以上为简要说明，具体的设计和应用需根据具体模块和电路要求进行。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
