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SMG3J14-VB 产品详细

产品简介:

SMG3J14-VB 是 VBsemi 品牌的 SOT23-3 封装的 P—Channel 沟道场效应晶体管。

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产品参数:

参数:
- 工作电压(VDS):-30V
- 连续漏极电流(ID):-5.6A
- 开通态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

该晶体管适用于以下领域和模块:

1. **电源管理模块:** 由于其 P-Channel 沟道特性和适中的电流容量,可用于电源开关和电源管理模块中。

2. **电源逆变器:** 适用于电源逆变器,尤其是在需要 P-Channel MOSFET 的应用中。

3. **电池管理系统:** 由于低漏电流和适中的电流容量,可用于电池管理系统,控制电池充放电。

请注意,具体应用和模块的选择可能根据具体设计要求和环境而有所不同,建议在具体应用中参考数据手册和规格书。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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