参数：SOT23-3；P—Channel沟道，-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V，VGS=20V；Vth=-1V；
封装：SOT23-3


**详细参数说明：**
1. **型号和丝印：** Si2377EDS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的P-Channel沟道场效应晶体管（FET），丝印为VB2355。

2. **电气参数：**
- **电压参数：** -30V的耐压，适用于较低的功率应用。
- **电流参数：** -5.6A的电流承受能力，适用于中等功率的场合。
- **导通电阻：** 在VGS=10V时，RDS(ON)为47mΩ，说明其导通状态时的电阻相对较低，有助于减小功耗和提高效率。

3. **封装：**
- **SOT23-3：** 这是一种小型的表面贴装封装，适合于空间有限的电路板设计。

4. **电气特性：**
- **Vth：** 门阈电压为-1V，这是指在什么电压下晶体管开始导通。负值表示这是一个P-Channel FET。