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SI2369DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:


应用简介:
SI2369DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET,适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-5.6A,具有低导通电阻和高性能。

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产品参数:

型号:SI2369DS-T1-GE3
丝印:VB2355
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 类型:P沟道MOSFET
- 最大耐压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 导通电阻:47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:-1Vth
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 电动工具:可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。
3. 家用电器模块:适用于家用电器领域中的负极电源控制和负载开关。

总之,SI2369DS-T1-GE3适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计,主要用于电源管理、电动工具和家用电器模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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