产品简介：
应用简介：
SI2369DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-5.6A，具有低导通电阻和高性能。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P-Channel |
-30V |
20（±V） |
-1.7V |
-5.6A |
|
54(mΩ) |
46(mΩ) |
|
型号：SI2369DS-T1-GE3
丝印：VB2355
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-30V
- 最大电流：-5.6A
- 导通电阻：47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1Vth
- 封装：SOT23-3
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 电动工具：可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。
3. 家用电器模块：适用于家用电器领域中的负极电源控制和负载开关。
总之，SI2369DS-T1-GE3适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和家用电器模块等。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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