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SI2347DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

型号:SI2347DS-T1-GE3-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi

SI2347DS-T1-GE3-VB是一种P沟道MOSFET,适用于多种电子应用

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产品参数:

参数:
- 类型:P沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs):20V (±V)
- 阈值电压 (Vth):-1V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

1. 电源模块:这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关,帮助提高电源管理的效率,适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。

2. DC-DC转换器:SI2347DS-T1-GE3-VB可以用于DC-DC转换器中,将一个电压转换成另一个电压,适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。

3. 电池管理:它还可以用于电池管理系统中,控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。

4. 汽车电子:由于其低导通电阻和电压特性,这种MOSFET也适用于汽车电子系统,如车辆电源管理和驱动控制。

5. 低功耗电子:由于其低导通电阻和低电压特性,适用于需要低功耗操作的电子设备,如传感器节点、便携式医疗设备和无线通信模块。

SI2347DS-T1-GE3-VB的特性使其适用于多种低至中等功率电子应用,尤其是在需要P沟道MOSFET的情况下。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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