参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-5.6A
- 导通电阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压：-1V
- 封装类型：SOT23-3

详细参数说明：
SI2323DDS-T1-GE3是一款P沟道MOS管，适用于最大-30V的工作电压，最大-5.6A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为47mΩ，4.5V下为56mΩ。阈值电压为-1V，需要在控制电压小于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为SOT23-3。