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SI2319CDS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:


应用简介:SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高效率。

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产品参数:

SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23-3。

领域和模块应用:

优势与适用领域:具有低导通电阻,适用于要求低功率损耗和高效率的领域,如电源开关、稳压和逆变器等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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