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SI2307DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

型号: SI2307DS-T1-GE3
丝印: VB2355
品牌: VBsemi


这款SI2307DS-T1-GE3 MOSFET是一款低压P沟道MOSFET,适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流,适用于低功率开关和功率转换的应用。



总之,SI2307DS-T1-GE3 MOSFET适用于需要低压低功率P沟道MOSFET的各种应用场景,提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能,特别适用于低压低功率应用的模块。

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产品参数:

参数说明:
- MOSFET类型: P沟道
- 额定电压(VDS): -30V
- 额定电流(ID): -5.6A
- 开通电阻(RDS(ON)): 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): -1V
- 封装类型: SOT23-3

领域和模块应用:

这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块:
- 电源管理模块:用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。
- 电池管理模块:用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。
- 小功率开关模块:用于低压开关电路、低功率开关控制等低功率应用。
- 消费电子模块:用于低压低功率的消费电子产品中的功率管理和开关模块。

**作用:**
在这些模块上,SI2307CDS-T1-GE3-VB发挥以下作用:

1. **低功率转换:** 适用于低功率应用,提供可靠的功率转换。

2. **电流控制:** 通过精准的电流控制,适用于需要小功率电流管理的应用。

3. **信号开关:** 在信号开关电路中,用于控制信号的连接和断开,实现信号的切换。

**使用注意事项:**
- 需要确保工作电压和电流不超过规定的最大值。
- 在设计中考虑适当的散热措施,以确保器件正常工作温度。
- P-Channel MOSFET在导通状态下的电流是负值,需要根据应用情况正确连接。

以上简介仅供参考,具体应用需要根据实际设计和使用情况进行调整。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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