参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大持续电流：-5.6A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：-1V
- 封装：SOT23-3

详细参数说明：
SI2307CDS-T1-E3-VB 是一款 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有-30V 的额定电压和最大持续电流为-5.6A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 47mΩ @ 10V 和 56mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为-1V。