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RRR040P03TL-VB 产品详细

产品简介:

型号:RRR040P03TL-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi


RRR040P03TL-VB是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用,具有高电流承受能力和适度的电压承受能力。

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产品参数:

参数:
- 沟道类型:P沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大持续电流:-5.6A
- 开通电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10Vgs、56mΩ @ 4.5Vgs
- 阈值电压(Vth):-1V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

应用领域:

1. 电源管理模块:这款MOSFET适用于低功率电源管理模块。它可以用于开关稳压器、电源适配器和直流-直流变换器等应用中,有助于提供高效率和稳定的电源输出。

2. 电池保护模块:由于其高电流承受能力,它可以用于电池保护模块,确保电池在充电和放电时的安全性和性能。

3. 信号开关:RRR040P03TL-VB也可用于信号开关和电路保护,用于控制和管理信号通路,例如在通信设备、音频放大器和控制电路中。

4. 电源逆变器:在需要负向电压逆变的应用中,例如太阳能逆变器和电动汽车逆变器,这款MOSFET可以用于电源逆变电路,将直流电转换为交流电。

总之,RRR040P03TL-VB是一款适用于低功率电子应用的P沟道MOSFET,特别适用于电源管理、电池保护、信号开关和电源逆变器等领域。它在小型电子设备和便携式电子产品中具有广泛的用途。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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