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RQJ0303PGDQATL-E-VB 产品详细

产品简介:

型号:RQJ0303PGDQATL-E-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi

RQJ0303PGDQATL-E-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有较高的漏极-源极电阻和低门极阈值电压。这些特性使其在多种应用领域中非常有用。

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产品参数:

参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续漏极电流:-5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V,56mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):-1V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

1. **电源模块**:由于RQJ0303PGDQATL-E-VB具有低漏极-源极电阻,它适用于开关电源和电池管理系统,有助于提高能源转换效率。

2. **DC-DC转换器**:这种MOSFET器件可用于DC-DC变换器中,用于调整电压和电流,从而适应各种电子设备的需求。

3. **电池保护**:在便携式设备和电池驱动应用中,RQJ0303PGDQATL-E-VB可以用于电池保护电路,确保电池的安全和可靠性。

4. **电机控制**:它还可用于小型电机控制和驱动器,例如风扇、振动马达和小型电动工具。

5. **信号开关**:在各种电子设备中,这种MOSFET可用于信号开关和电路保护,以实现高性能和低功耗。

总之,RQJ0303PGDQATL-E-VB是一款多功能的P沟道MOSFET器件,适用于各种需要高性能、低电阻和可靠性的应用领域。它可以用于电源管理、电池保护、电机控制、信号开关等多种电子模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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