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QM3003K-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**

QM3003K-VB 是一款 P—Channel 沟道功率 MOSFET,具有卓越的性能和广泛的应用范围。

**主要特点:**
- **高性能:** 低导通电阻和高漏极电流,适用于高性能电路设计。
- **低阈值电压:** 阈值电压为 -1V,有助于在低电压条件下实现灵活的电路设计。
- **紧凑封装:** SOT23-3 封装,适用于空间有限的应用。

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产品参数:

**QM3003K-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **型号:** QM3003K-VB
- **丝印:** VB2355
- **封装:** SOT23-3
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大漏极电压:** -30V
- **最大漏极电流:** -5.6A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压 (Vth):** -1V

领域和模块应用:

**应用领域:**
1. **电源管理模块:**
- 用于构建高效、紧凑的电源管理模块,提供可靠的电力转换和调节。

2. **驱动电路:**
- 作为电路中驱动器或开关的一部分,实现快速而可靠的电路切换。

3. **电机驱动:**
- 适用于电机控制和驱动模块,提供对电机的精确控制。

4. **电池保护:**
- 在电池管理电路中,用于实现过电流和过压保护。

5. **LED 驱动:**
- 用于 LED 驱动电路,确保稳定的亮度和效能。

请根据具体应用需求和电路设计要求,选择 QM3003K-VB 以实现最佳性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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