产品简介：
**应用简介:**
NTR4171PT3G-VB适用于多种电源管理和开关电路应用。其P—Channel设计使其在特定场合下能够提供高效的电源控制。
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产品参数：
**NTR4171PT3G-VB**
- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-5.6A
- 导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1V
- **封装：** SOT23-3
**详细参数说明:**
NTR4171PT3G-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23-3封装。其主要电气特性包括额定电压为-30V，最大电流为-5.6A，导通电阻为47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，阈值电压为-1V。
领域和模块应用：
1. **电源开关模块：** NTR4171PT3G-VB可用于设计高效的电源开关模块，如稳压器和开关电源。
2. **电池管理系统：** 由于低阈值电压和低导通电阻，该器件适用于电池管理系统，提供有效的电源开关控制。
3. **电流控制模块：** 在需要P—Channel MOSFET进行电流控制的电路中，NTR4171PT3G-VB可以发挥作用。
4. **LED驱动器：** 适用于LED照明应用，提供高效的电流调节和开关控制。
请在具体应用中，根据NTR4171PT3G-VB的规格书和设计手册进行正确的设计和使用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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