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NDS352AP-NL-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
NDS352AP-NL-VB是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用,具有低电阻和负向耐压能力。

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产品参数:

型号:NDS352AP-NL-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:P沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大持续电流:-5.6A
- 开通电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10Vgs、56mΩ @ 4.5Vgs
- 阈值电压(Vth):-1V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

1. 电源开关:这款MOSFET适用于电源开关,用于控制电路的通断状态,例如在电源适配器、电源开关模块和电源管理系统中。

2. 电池保护模块:由于其负向耐压特性,它可以用于电池保护模块,确保电池在充电和放电时的安全性和性能。

3. 信号开关:NDS352AP-NL-VB也可用于信号开关和电路保护,用于控制和管理信号通路,例如在通信设备、音频设备和工业自动化中。

4. 低电压电路:由于其低阈值电压,这款MOSFET特别适用于低电压电路中,例如移动设备、便携式电子设备和低功耗应用。

总之,NDS352AP-NL-VB是一款多功能的P沟道MOSFET,适用于各种电子应用,特别是需要低电阻、负向耐压和低电压操作的领域。它在电源开关、电池保护模块、信号开关和低电压电路等模块中都有广泛的用途。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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