型号：MTP2303N3-VB
丝印：VB2355
品牌：VBsemi
封装：SOT23-3

应用简介：
MTP2303N3-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，具有卓越的性能参数，适用于多种电路设计和应用场景。其特点包括低电压阈值、高额定电流和低开启电阻，为电子设备提供可靠的功率控制和管理功能。

详细参数说明：
1. **沟道类型**：P—Channel MOSFET，适用于需要P型输电导体的电路设计。
2. **额定电压**：-30V，适用于各类电源和电子设备的电路设计。
3. **额定电流**：-5.6A，具有较高的电流承载能力，适用于需要处理大电流的场景。
4. **开启电阻**：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，低开启电阻有助于减小功率损耗，提高效率。
5. **门源电压阈值**：Vth=-1V，低电压阈值使其在低电压环境中表现出色。