产品简介:
**应用简介:**
ME2345A-VB适用于低功耗功率电子应用,特别是在需要P—Channel MOSFET的场合。
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产品参数:
**ME2345A-VB**
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大沟道电压(VDS):-30V
- 最大漏极电流(ID):-5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V
**详细参数说明:**
ME2345A-VB 是一款P—Channel MOSFET,封装为SOT23-3,具有最大-30V的沟道电压和-5.6A的最大漏极电流。其静态漏极-源极电阻为47mΩ,阈值电压为-1V。
领域和模块应用:
**领域模块应用:**
1. **电源管理模块:** 在电源管理模块中,ME2345A-VB可用于功率开关,帮助管理电源的供应和控制功率。
2. **信号开关模块:** 用于实现信号的开关控制,适用于需要P—Channel MOSFET的低功耗电子设备。
3. **电流控制模块:** 在需要P—Channel MOSFET进行电流控制的模块中使用,例如电池充放电控制。
**作用:**
- 用于低功耗电子设备的功率开关。
- 实现信号的开关控制。
- 在电流控制模块中进行电流控制。
**使用注意事项:**
1. 遵循数据手册中的最大额定值,以确保在规定条件下使用。
2. 注意阈值电压的负值,确保在正确的电压条件下工作。
3. 了解并满足封装的特定要求,以确保正确的引脚连接。
4. 考虑散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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