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CES2331-VB 产品详细

产品简介:



详细参数说明:
CES2331-VB是一款P沟道MOSFET,专为低电压、中电流应用而设计。它的额定电压为-30V,可以持续承受最大-5.6A的电流。该MOSFET具有良好的导通特性,其静态导通电阻在10V电压下为47mΩ,而在4.5V电压下为56mΩ。这使其适用于需要中等功率的应用。

CES2331-VB的门源极电压(Vgs)范围广泛,最大可达±20V,具有良好的控制特性。其阈值电压(Vth)为-1V,可在不同应用中实现精确的控制。

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产品参数:

型号:CES2331-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道 MOSFET
- 额定电压:-30V
- 最大持续电流:-5.6A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)):47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs):最大±20V
- 阈值电压 (Vth):-1V
封装:SOT23-3

领域和模块应用:

1. **电源管理模块**:这款MOSFET适用于低电压电源管理,可用于电池管理、电源开关和充电控制等应用。
2. **信号放大器**:由于其中等电流特性,可用于放大信号,如音频放大器和信号放大电路。
3. **电源开关**:适用于各种类型的电源开关模块,如开关模式电源供应器(SMPS)。
4. **LED驱动**:可用于LED照明系统中,控制LED亮度和开关。

综上所述,CES2331-VB是一款适用于多种应用的P沟道MOSFET,适用于低电压、中电流的应用,提供中等功率和可靠性的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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