参数:
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P-Channel
- 额定沟道电压(VDS): -30V
- 额定沟道电流(ID): -5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门源极阈值电压(Vth): -1V

封装: SOT23-3

**详细参数说明：**
1. **沟道类型：** P-Channel 沟道类型指示这是一款 P-Channel MOSFET，适用于需要 P-Channel 特性的电路设计。

2. **额定沟道电压：** -30V 表示这款 MOSFET 的额定工作电压为 -30V，适用于相应的电源电压范围。

3. **额定沟道电流：** -5.6A 表示这款 MOSFET 的最大额定工作电流为 -5.6A，适用于负载电流需求较高的电路。

4. **静态漏极-源极电阻：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V 表示在不同的门源电压下，静态时的漏极-源极电阻。这对于评估导通状态下的导通损耗很重要。

5. **门源极阈值电压：** -1V 表示在理想条件下，当门源电压达到 -1V 时，MOSFET 开始导通。