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AP2315N-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**
AP2315N-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,采用SOT23-3封装。该器件在负30V的最大漏电压条件下,具有负5.6A的最大漏电流能力,并在不同门源电压下表现出47mΩ的低开启态漏电阻。其阈值电压为负1V。

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产品参数:

型号: AP2315N-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi
封装: SOT23-3

**详细参数说明:**
- 极性: P—Channel
- 最大漏电压(Vds): -30V
- 最大漏电流(Id): -5.6A
- 开启态漏电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

领域和模块应用:

**应用领域:**
由于AP2315N-VB的性能参数,它可能在以下领域得到广泛应用:

1. **电源管理模块:** 适用于电源开关电路,如开关电源、电源适配器和电池管理。

2. **电流控制模块:** 可用于电流调节器和电流限制器,确保电流稳定和可控。

3. **信号放大模块:** 由于其P—Channel极性,适用于需要P—Channel MOSFET的信号放大电路。

4. **电源逆变器:** 在需要逆变功能的电源逆变器中,AP2315N-VB可以用于控制电源的开关和反相。

这些应用场景仅为示例,具体使用取决于系统设计的要求和性能参数的匹配。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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