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2319GN-VB 产品详细

产品简介:

型号:2319GN-VB

丝印:VB2355

品牌:VBsemi

**应用简介:**
2319GN-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管(FET),适用于SOT23-3封装。其主要特性包括较低的漏极-源极电阻和适用于负载开关等应用。

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产品参数:

**参数说明:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 额定沟道电压(VDS):-30V
- 额定沟道电流(ID):-5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

**封装:**
SOT23-3

领域和模块应用:

**领域和模块应用:**
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道类型和适中的电流能力,2319GN-VB可以用于电源管理模块中的负载开关,以实现有效的电源控制。

2. **电流控制模块:** 适用于需要P—Channel MOSFET的电流控制模块,例如电流源和电流镜等电路。

3. **通用放大器模块:** 在需要P—Channel MOSFET的通用放大器电路中,该器件也可能发挥作用。

请注意,具体的应用需求和设计要求可能需要详细的电路设计和参数匹配。在使用前,请仔细查阅型号的数据手册和应用指南。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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