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2305BGN-VB 产品详细

产品简介:

2305BGN-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23-3封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介:


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产品参数:

**参数:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- 开启电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:-1V

领域和模块应用:

*应用简介:**
2305BGN-VB是一款P—Channel MOSFET,设计用于低电压和中电流应用。其卓越的性能特征使得它在多种应用中表现卓越。

- **领域应用:**
该器件适用于以下领域:
- 电源管理模块
- 电池保护电路
- DC-DC转换器
- 电流限制和开关应用

- **模块应用:*应用简介:**
2305BGN-VB是一款P—Channel MOSFET,设计用于低电压和中电流应用。其卓越的性能特征使得它在多种应用中表现卓越。

- **领域应用:**
该器件适用于以下领域:
- 电源管理模块
- 电池保护电路
- DC-DC转换器
- 电流限制和开关应用

- **模块应用:**
在模块级别,2305BGN-VB可被广泛应用于:
- 移动设备充电管理模块
- 电池供电的便携式设备
- 低电压、高效率的电源管理系统
- 小型电源开关模块

这款P—Channel MOSFET的卓越性能使其成为在各种低功耗和高效率电源管理应用中的理想选择,为电子设计提供了灵活性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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