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SMG2319P-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:
SMG2319P-VB是VBsemi品牌的P-Channel MOSFET产品,具有-30V的漏极耐压、-5.6A的最大漏极电流,以及在VGS=10V和20V时的RDS(ON)为47mΩ。该器件采用SOT23-3封装,适用于各种电路设计需求。


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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:SMG2319P-VB
- 类型:P-Channel MOSFET
- 最大漏极耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- RDS(ON):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 便携式电子产品:由于SMG2319P-VB具有低功耗和小封装特性,可用于手机、平板电脑等便携式电子产品中的电源管理和开关控制模块。
2. LED照明系统:在LED照明应用中,该器件可用于LED驱动电路中的开关控制,以提供高效的能源管理和亮度调节。
3. 电池管理:在电池充放电保护模块中,SMG2319P-VB可以确保电池在充放电过程中不受过载或过放等问题的损害。
4. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于车载电源管理、车灯控制等模块,提供可靠的电力输出和控制功能。

这些领域和模块只是示例,实际上SMG2319P-VB可能在更多的电子应用中发挥作用,具体取决于设计需求和性能要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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