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NDS356AP-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:
NDS356AP-VB是VBsemi公司推出的P-Channel MOSFET产品,具有-30V的漏极耐压、-5.6A的最大漏极电流,以及在VGS=10V和20V时的RDS(ON)分别为47mΩ。该器件采用SOT23-3封装,适用于各种电路设计需求。


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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:NDS356AP-VB
- 类型:P-Channel MOSFET
- 最大漏极耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- RDS(ON):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 低功耗电子设备:由于其低漏极电阻和低功耗特性,NDS356AP-VB可用于移动设备、便携式电子产品等领域的电源管理和开关控制模块。
2. 电池充放电保护:在电池管理电路中,该器件可以用于电池充放电保护模块,确保电池免受过充、过放等情况的损坏。
3. LED照明控制:在LED照明应用中,NDS356AP-VB可用于LED驱动电路的开关控制,提供高效的能源管理和亮度控制。
4. 工业控制系统:在工业控制领域,该器件可以用于电机驱动、开关电源和逆变器等模块,提供稳定的电力输出和可靠的控制功能。

以上仅为示例,NDS356AP-VB在其他领域和模块中也可能有广泛的应用,具体取决于设计需求和性能要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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