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HY04P30-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:
HY04P30-VB是VBsemi公司生产的P-Channel MOSFET,具有-30V的耐压,-5.6A的最大连续漏极电流,以及在VGS=10V和20V时的RDS(ON)分别为47mΩ。该器件采用SOT23-3封装,适用于各种电路设计需求。



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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:HY04P30-VB
- 类型:P-Channel MOSFET
- 最大漏极耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- RDS(ON):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 低压电路设计:由于其低阻态特性和适中的电流能力,HY04P30-VB常用于低压电路的开关和驱动模块。
2. 电源管理:在电源管理模块中,HY04P30-VB可用于电源开关和反向保护功能,确保电路稳定工作。
3. LED驱动器:在LED照明应用中,该器件可用于LED驱动器电路中的开关控制,提供高效能源管理。
4. 电池保护:作为电池保护模块的关键元件,HY04P30-VB能够控制充放电过程中的电流,保护电池免受损坏。

这些领域和模块仅为示例,HY04P30-VB在其他应用中也可以发挥重要作用,具体取决于设计需求和性能要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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