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AP2303GN-VB 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
AP2303GN-VB是VBsemi品牌生产的一款P-Channel沟道MOSFET,适用于电路中的功率控制和开关应用。它具有低电压、高电流和低导通电阻等特性,封装为SOT23-3,适用于各种小型电子设备和电路板。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 工作特性:P-Channel沟道,工作电压为-30V,最大导通电流为-5.6A。
- 导通电阻:在VGS=10V时,RDS(ON)=47mΩ;在VGS=20V时,RDS(ON)=47mΩ。
- 阈值电压:Vth=-1V。

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**
1. **移动设备**:由于AP2303GN-VB具有小封装和低功耗特性,适用于手机、平板电脑等移动设备中的电源管理模块,如电池充放电控制和功率开关。
2. **电源适配器**:在电源适配器中,AP2303GN-VB可用于DC-DC转换器的功率开关控制,以提高效率和稳定性。
3. **LED照明**:在LED照明系统中,可将AP2303GN-VB用作LED驱动器的功率开关,以调节亮度和控制电流。
4. **电池管理**:在电池管理电路中,可将AP2303GN-VB用于电池充放电控制和保护,确保电池的安全和稳定性。
5. **工业控制**:在工业控制系统中,可将AP2303GN-VB用作各种开关电路的控制器,实现自动化和智能控制。

这些领域和模块都需要高性能、低功耗的功率开关器件来实现有效的电路控制和管理,而AP2303GN-VB正是满足这些需求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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