SSM3K12T-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管，专为电源管理、电源适配器和工业控制等领域设计。其采用SOT23-3封装，额定电压为30V，额定电流为6.5A，具有低开通电阻(RDS(ON) = 30mΩ)，在不同电压(VGS=10V、VGS=20V)下表现优异。阈值电压(Vth)在1.2~2.2V范围内，提供了设计的灵活性。

这款场效应晶体管适用于需要N沟道场效应晶体管的电源管理和工业控制电路。其可靠的性能和SOT23-3封装使其成为电子工程师在小型电路板和模块设计中的理想选择。