应用简介：
Si2338DS-T1-GE3（丝印：VB1330）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：

Si2338DS-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET，适用于电感负载、开关电源和直流-直流转换器等需要高电流承载能力和低导通电阻的应用。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为6.5A，RDS(ON)为30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为1.2V~2.2V，封装类型为SOT23-3。

应用领域：
Si2338DS-T1-GE3（VB1330）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电流电路。

Si2338DS-T1-GE3（VB1330）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、汽车电子系统、工控系统和通信设备等领域模块。它具有高电流承载能力和低导通电阻的特点，适用于需要高功率和高效能的电路。