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SI2338DS-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:




这款N—Channel沟道MOSFET适用于中功率和中电压的应用场景

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产品参数:

**详细参数说明:**
- **型号:** SI2338DS-T1-E3-VB
- **丝印:** VB1330
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压(VDS): 30V
- 额定电流(ID): 6.5A
- 导通电阻(RDS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1.2~2.2V

领域和模块应用:

常见于以下领域:

1. **电源开关模块:** 适用于小型电源开关模块,提供可靠的开关控制。

2. **电源逆变器:** 用于中功率电源逆变器,将直流电源转换为交流电源,例如家用逆变器或UPS系统。

3. **电机控制:** 在中功率电机驱动和控制模块中,作为电流开关,用于实现电机的精确控制。

4. **LED照明驱动:** 在中功率LED照明应用中,作为电流开关,用于调节和控制LED的亮度。

**使用注意事项:**
1. **封装类型:** 确保正确选择和处理SOT23-3封装,以确保焊接质量和适当的散热。

2. **电压和电流限制:** 不要超过额定的电压和电流参数,以防止器件损坏。

3. **阈值电压注意:** 需要考虑阈值电压范围,确保在实际应用中得到合适的电压偏置。

4. **静电防护:** 在处理和使用过程中,采取适当的静电防护措施,以防止静电损坏。

在任何应用中,都应仔细阅读产品手册和规格书,以确保正确的使用和操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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