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SI2306DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

型号:SI2306DS-T1-GE3-VB
丝印:VB1330
品牌:VBsemi

**应用简介:**
SI2306DS-T1-GE3-VB是一款SOT23-3封装的N—Channel沟道MOSFET,适用于多种低功率应用场景。

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产品参数:

**参数:**
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:N—Channel
- 最大电压:30V
- 最大电流:6.5A
- 开启电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, 30mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V

领域和模块应用:

以下是它可能用在的一些领域模块:

1. **电源模块:** 适用于构建低功率电源开关模块,提供稳定的电源输出。

2. **电池管理:** 在充电和放电控制中,可用于电池管理电路,实现对电池的有效控制。

3. **LED照明:** 由于其适中的电流和低开启电阻,可能用于小功率LED照明驱动电路,实现对LED的亮度调节。

4. **电源开关和逆变器:** 适用于构建各种低功率电源开关和逆变器,用于电能的高效转换。

5. **模拟电路开关:** 适用于模拟电路中的开关,例如模拟开关、模拟信号调制等应用。

请注意,在使用这种器件时,确保参考其数据手册以获取详细的电性能和工作条件。由于其适用于低功率应用,因此主要用于一些相对较小规模的电子产品。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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