产品简介：
型号：NTR4170NT1G
丝印：VB1330
品牌：VBsemi
NTR4170NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为6.5A，具有低导通电阻和高性能。
NTR4170NT1G适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和消费电子模块等。
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产品参数：
详细参数说明：
- 类型：N沟道MOSFET
- 最大耐压：30V
- 最大电流：6.5A
- 导通电阻：30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：1.2~2.2Vth
- 封装：SOT23-3
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于低电压电源开关和电池管理系统等。
2. 照明模块：可用于LED驱动和照明控制。
3. 消费电子模块：适用于手机、平板电脑和数码相机等消费电子设备中的功率管理。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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