产品简介：
型号: LNTR4003NLT1G-VB
丝印: VB1330
品牌: VBsemi
详细参数说明和应用简介:
LNTR4003NLT1G-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管，封装为SOT23-3。该器件具有30V的额定电压，6.5A的额定电流，以及低的开通电阻（RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V）。阈值电压Vth在1.2~2.2V范围内。
LNTR4003NLT1G-VB适用于需要高性能N-Channel沟道MOSFET的多种应用，包括但不限于上述提到的领域。其性能特点使其成为各种电子系统中的理想选择。
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产品参数：
参数:
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 6.5A
- 开通电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V
封装: SOT23-3
领域和模块应用：
**应用领域:**
1. **电源管理模块:** 适用于电源开关和调节电路，提供高效的功率转换。
2. **电机驱动:** 在电机控制和驱动模块中，用于实现高效的电机运行。
3. **LED驱动:** 在LED照明应用中，可用于控制和调节LED的亮度。
4. **电源逆变器:** 用于制造高效的逆变器，将直流电源转换为交流电源。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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