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LML0030G-VB 产品详细

产品简介:

产品型号:LML0030G-VB
品牌:VBsemi
封装:SOT23-3
丝印:VB1330

LML0030G-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装。其最大工作电压为30V,最大持续电流为6.5A,具有低开态电阻,RDS(ON)为30mΩ,当Gate-Source电压为10V或20V时。阈值电压(Vth)在1.2~2.2V范围内。丝印上标注为VB1330。

LML0030G-VB作为一款N-Channel MOSFET,广泛应用于电源管理、电子驱动、消费电子等领域,为各种模块提供高效、可靠的电子元件支持。

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产品参数:

参数:
- 沟道类型:N—Channel
- 最大工作电压:30V
- 最大持续电流:6.5A
- 开态电阻:RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth = 1.2~2.2V

领域和模块应用:

1. **电源模块:** 由于其低开态电阻和适中的电压容限,LML0030G-VB常被用于电源开关模块,提供高效率和可靠性。

2. **驱动电路:** 作为N-Channel MOSFET,LML0030G-VB可以用于各种驱动电路,例如马达控制、LED驱动等,以其高电流承载能力和低导通电阻提高系统效能。

3. **电源管理:** 在电源管理领域,LML0030G-VB常用于开关电源、稳压器等电路,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。

4. **消费电子产品:** 在手机、平板电脑等消费电子产品中,LML0030G-VB可用于功率放大器、充电管理等电路,以确保设备性能和电池寿命。

5. **自动控制系统:** 由于其高电流承载能力和可靠性,LML0030G-VB也适用于各种自动控制系统,如工业自动化、机器人等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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