产品简介:
**详细参数说明:**
- **封装类型:** SOT23-3是一种小型SMD封装,适用于紧凑空间和轻量级设计。
- **沟道类型:** N-Channel沟道类型通常用于低侧开关配置。
- **最大耐压:** 30V的最大漏极耐压使其适用于低至中等电压应用。
- **最大连续漏极电流:** 6.5A的电流承载能力使其适用于中等功率应用。
- **导通电阻:** 30mΩ的低导通电阻表现有助于降低功耗和提高效率。
- **门极阈值电压:** 1.2~2.2V的门极阈值电压允许在不同电平下实现灵活的驱动。
**应用简介:**
该MOSFET适用于各种电源管理、开关电源和功率放大器应用。由于其小型封装和适中的电性能,它可以广泛应用于不同领域。
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产品参数:
**VBsemi JZ3400-VB MOSFET**
- **封装类型:** SOT23-3
- **沟道类型:** N-Channel
- **最大耐压:** 30V
- **最大连续漏极电流:** 6.5A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门极阈值电压(Vth):** 1.2~2.2V
领域和模块应用:
**典型应用领域:**
1. **电源管理模块:** 用于电源开关、电源逆变和稳压模块。
2. **电池供电系统:** 适用于便携设备、移动通信设备等。
3. **电源转换模块:** 在DC-DC转换器和开关电源中发挥作用。
4. **功率放大器:** 用于音频放大器和其他低至中等功率放大器。
通过在这些领域中的应用,JZ3400-VB MOSFET可以提供可靠的性能和高效的电能管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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