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IRLML2030TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

型号:IRLML2030TRPBF-VB
丝印:VB1330
品牌:VBsemi

IRLML2030TRPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管(FET),适用于多种电子应用。它的主要特点包括低阈值电压和低导通电阻,使其能够在低电压和低功率条件下有效工作。其SOT23-3封装适合空间受限的应用。

IRLML2030TRPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管,适用于多种电子领域,包括电源管理、移动设备、无线通信和自动控制系统等应用。其SOT23-3封装使其适用于空间受限的应用。

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产品参数:

参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

应用领域:
1. 电源开关模块:IRLML2030TRPBF-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器,以实现高效的电能转换。

2. 移动设备:在手机、平板电脑和便携式消费电子设备中,这款晶体管可用于电源管理、电池充电和放电控制。

3. 无线通信:在射频(RF)前端模块、天线开关和功率放大器中,IRLML2030TRPBF-VB可用于电路的控制和优化。

4. 自动控制系统:在自动控制和感测系统中,它可以用于执行开关操作和电流控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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